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APTM100A13SG中文资料

APTM100A13SG图片

APTM100A13SG外观图

  • 大小:621KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:2 N 沟道(半桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:65A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:156 毫欧 @ 32.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 6mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:562nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:15200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1250W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商设备封装:SP6
  • 包装:散装
  • 其它名称:APTM100A13SGMIAPTM100A13SGMI-ND

APTM100A13SG供应商

更新时间:2023-01-26 02:20:36
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